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  • 生活展品號:4338576




  • 續航最長可達15小時
  • 最高可達800流明
  • 符合IPX-6 防水標準


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手電筒類型
  • 高亮度
  • 頭戴式






捷特明於2016年10月1號起,於台灣使用新商標LOGO

LED: CREE XM-L2
最大輸出: 800流明
材質:航天鋁合金
使用電池:18650可充電鋰電池
尺寸:
長度: 82mm
頭部直徑: 26.5*29mm
重量:83克(不含電池)















保固期

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關於黛安娜王妃(Princess Diana)死因,一直是眾人臆測的焦點,近期有1名英國空勤特種部隊(SAS)前成員代號「士兵N」(Soldier N)的妻子聲稱,前夫曾向她透露,其實是有隊員朝黛安娜王妃駕駛臉龐照射強光,才導致車禍發生。

根據英國《每日郵報》(Daily Mail)報導,這名「士兵N」是在2008年教導威廉王子(Prince William)進階駕駛課程後,向自己的妻子訴說這項特種部隊暗殺黛安娜王妃的內幕。

其妻子稱前夫曾向她透露,特種部隊一直以來都有派人監控黛安娜王妃及其男友法耶德(Dodi Al Fayed),當他們的車子行駛進隧道時,一名特種部隊士兵向黛安娜王妃駕駛的臉龐照射強光,才導致失控撞車。

這名婦人並稱,前夫還曾告訴她,是因有王室核心人物對於黛安娜王妃及法耶德的關係極為不滿,才下令要求特種部隊執行這項暗殺黛安娜王妃的「攻擊任務」。

報導稱,這名自稱「士兵N」的妻子聲稱,自己相信前夫所言句句屬實、並無造假,據說蘇格蘭警場(Scotland Yard)與她進行會談過後,決定重新審起黛安娜王妃車禍命案,

據了解,黛安娜王妃於1997年時,與男友法耶德,及其駕駛皆因這起車禍喪命,而黛安娜王妃同行的保鑣則身受重傷。

▼黛安娜王妃。(圖/達志影像/美聯社)

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下面附上一則新聞讓大家了解時事

快閃記憶體技術盛會「 2017 年快閃記憶體高峰會」將於美國時間 8 月 8 日於聖塔克拉拉正式登場。快閃記憶體( NAND Flash )大廠群聯多項快閃控制晶片,包括 UFS 、 SSD 等高階新晶片同步亮相,其中 UFS 超前國際一線大廠,領先發表 3.0 規格技術設計,成為 2017 FMS 上令人期待的亮點,並激勵群聯今( 8 )日盤中股價最高來到 432 元,漲幅 3% 以上。

群聯在今( 2017 )年下半年啟動新一代的 3D NAND 支援的 NAND Flash 控制晶片,在 FMS 國際大展上,基於 3D NAND 製程之最新高階快閃控制晶片全面亮相,包括有可符合未來 5G 旗艦智慧型手機最高階 UFS 2.1 規格的快閃控制晶片 PS8313 ,以及日前在國際記憶體技術論壇 JEDEC Mobile & IoT Forum 上最新發表的 UFS 3.0 規格技術設計。在 SSD 方面,同步推出 PCIe G3x4 以及SATA III 兩種規格的最高階 8 通道快閃控制晶片 PS3112-E12 以及 PS3112-S12 。

群聯董事長潘健成表示,公司在智慧型手機嵌入式快閃記憶體市場已取得高市占率,除了做大還要做強,並持續投資先進技術研發,符合高階智慧機種主流規格 UFS 2.1 雙通道的快閃控制晶片 PS8313 今日正式亮相,該晶片將引領 UFS 的讀寫速度推進到 SSD 等級,並搭配 NAND Flash 國際大廠最新 3D TLC 技術,將可提供高階智慧型手機達到最佳容量的性價比。在布局次世代進度上,已領先全球同業在今年第 3 季完成 UFS 3.0 控制晶片的設計,贏得國際大廠認證先機。

SSD 快閃控制晶片進展上,潘健成指出,近期在大陸市場爆發 SSD 黑心晶片事件,讓客戶更瞭解到公司的產品一再強調長期合作、可信賴是何其重要,這也提供了群聯擴大 SSD 市占率的機會。除此之外,技術再向前邁進的新晶片 PS3112-E12 以及 PS3112-S12 將是公司深耕高階 SSD 市場的重要新品,也蘊釀群聯下一波成長機會。



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